Werkstoff | Biegefestigkeit | CTE | Wärmeleitfähigkeit | Durchschlagfestigkeit |
Al2O3 | 450 | 6 - 9 | 22 | 15 |
AlN | 450 | 4 - 6 | 170 | 15 |
ZTA | 625 | 7 - 9 | 21 | 20 |
Si3N4 | 700 | 2 - 4 | 80 | 25 |
Substrate aus Siliziumnitrid Si3N4 überzeugen durch die höchste Biegefestigkeit von 700MPa, eine hohe Bruchzähigkeit (wodurch die Substrate dünner designt werden können) sowie durch seine gute Wärmeleitfähigkeit (80W/mK). Eingesetzt werden Si3N4 Substrate in industriellen Anwendungen, in der E-Mobilität sowie im Bereich der erneurbaren Energien.
Si3N4-Substrate bieten gegenüber anderen Materialien viele Vorteile wie beispielsweise eine höhere mechanische Festigkeit, eine höhere Wärmeleitfähigkeit, eine geringere Dielektrizitätskonstante und eine höhere thermische Stabilität. Sie werden in zahlreichen Branchen eingesetzt: In der Halbleiterfertigung für die Herstellung von ICs, MEMS, OLEDs und Photovoltaikzellen; in der Automobilindustrie für die Herstellung von Hochleistungsmotoren sowie in der Luft- und Raumfahrtindustrie für die Herstellung von Komponenten für Raumfahrzeuge .
Technische Werte & Parameter
Physikalische Eigenschaften
- Dichte: ≥ 3,30 g/cm3
Eigenschaften der Oberfläche
- Ra-Wert: 0,35 ± 0.15 µm
Mechanische Eigenschaften
- Biegefestigkeit (Doppelring): 700 MPa
- Weibull-Modul: > 12
- Bruchzähigkeit: > 6 MPam
Thermische Eigenschaften
- WAK: 2 - 4 10-6/K bei 20 - 300°C
- Wärmeleitfähigkeit bei 20°C: ≥ 80 W/mK
Elektrische Eigenschaften
- Durchschlagfestigkeit: ≥ 25 kC/mm
Geometrie
- Dicke: 0,25 und 0,32 mm (0.0098" und 0,013")
- Breite x Länge: 5,5" x 7,5" (andere auf Anfrage)
